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MG75J1BS11

更新时间： 2024-02-23 11:51:15

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	214K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG75J1BS11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.24	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	1000 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	800 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1000 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MG75J1SB11	TOSHIBA	TRANSISTOR 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG75J1ZS40	TOSHIBA	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)	获取价格
MG75J1ZS50	TOSHIBA	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)	获取价格
MG75J2YS40	TOSHIBA	TRANSISTOR 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG75J2YS45	TOSHIBA	TRANSISTOR 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG75J2YS50	TOSHIBA	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)	获取价格