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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50J2YS50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50J2YS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6EL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94E1A, 11 PIN, BIP General |
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| MG50J6ES11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES45 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50J6ES91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50M1BK1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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