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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50G1BL2 | TOSHIBA |
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MG50G1BL2 |
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| MG50G1BL3 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG50G1JL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG50G2CL3 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68A1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50G2DL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80A1A, 6 PIN, BIP General |
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| MG50G2DM1 | TOSHIBA |
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SILICON N CHANNEL MOS TYPE |
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| MG50G2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50G2YL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT POWER MODULE,HALF BRIDGE,DARLINGTON,450V V(BR)CEO,50A I(C) |
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| MG50G2YL1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50G2YM1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 450 V, 0.14 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-108A1A, 7 PIN |
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