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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 300 A | 集电极-发射极最大电压： | 550 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG300H1UL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109A1A, 5 PIN, BIP General Purpose P |
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| MG300H1US1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109A4A, 4 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300HF065TLC2 | YANGJIE |
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C2 |
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| MG300HF12E3 | YANGJIE |
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E3 |
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| MG300HF12LEC2 | YANGJIE |
获取价格 |
C2 |
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| MG300HF12TFC2 | YANGJIE |
获取价格 |
C2 |
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| MG300HF12TLC2 | YANGJIE |
获取价格 |
C2 |
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| MG300HF12TLE3 | YANGJIE |
获取价格 |
E3 |
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| MG300HIFL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
MG300HIFL1 |
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| MG300J1US1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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