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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 2-109C3A, 5 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 800 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG200Q1JS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q1UK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109A1A, 5 PIN, BIP General Purpose P |
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| MG200Q1US1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q1US41 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG200Q1US51 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG200Q1ZS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG200Q1ZS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CHOPPER APPLICATIONS) |
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| MG200Q2YS1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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