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MG150Q2YS40

更新时间: 2024-09-22 22:08:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
5页 256K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG150Q2YS40 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.23其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):500 ns门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1100 W最大功率耗散 (Abs):1100 W
认证状态:Not Qualified最大上升时间(tr):600 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:4 V
Base Number Matches:1

MG150Q2YS40 数据手册

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MG150Q2YS40 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode
FZ400R12KS4 INFINEON

类似代替

62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
CM400DU-24NFH MITSUBISHI

类似代替

HIGH POWER SWITCHING USE

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MG150Q2YS91 TOSHIBA

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TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
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MG1-513-JB RCD

获取价格

Res,Axial,Film,51K Ohms,250WV,5% +/-Tol
MG1-513-JTQ RCD

获取价格

Fixed Resistor, 1W, 51000ohm, 250V, 5% +/-Tol
MG151A MICRO-ELECTRONICS

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Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, 1-Character, Green, 12.7mm, CASE D-151, 10 PIN
MG151C MICRO-ELECTRONICS

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Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, 1-Character, Green, 12.7mm, CASE D-151, 10 PIN