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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | CHOPPER SWITCH | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG150Q1ZS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG150Q2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG150Q2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG150Q2YS11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG150Q2YS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG150Q2YS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG150Q2YS51 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG150Q2YS65H | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power & High Speed Switching Applications |
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| MG150Q2YS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG150Q2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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