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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 800 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1200 ns | 标称接通时间 (ton)： | 700 ns |
| VCEsat-Max： | 5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG150N2YS40 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG150P12E2 | YANGJIE |
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E2 |
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| MG150Q1BS11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG150Q1JS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, CHOPPER APPLICATIONS) |
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| MG150Q1JS44 | TOSHIBA |
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没有 |
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| MG150Q1JS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG150Q1ZS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG150Q2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
|
| MG150Q2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
|
| MG150Q2YS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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