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MG150J7KS60

更新时间： 2024-09-23 11:02:23

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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5页	298K
描述
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT

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MG150J7KS60 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26
针数：	26	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X26
元件数量：	7	端子数量：	26
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.2 V	Base Number Matches：	1

MG150J7KS60 数据手册

MG150J7KS60

TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT

MG150J7KS60 (600V/150A 7in1)

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

Integrates inverter and brake power circuit into a single package

The electrodes are isolated from case.

Low thermal resistance

= 1.6 V (typ.)

CE (sat)

Equivalent Circuit

Signal Terminal

1. Open

5. Open

9. Open

13. Open

17. G (X)

2. Open

3. G (U)

7. G (V)

11. G (W)

15. TH2

19. G (Z)

4. E (U)

8. E (V)

12. E (W)

16. G (B)

20. E (L)

6. Open

10. Open

14. TH1

18. G (Y)

2001-10-03

12 3 4 5

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