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MG150J7KS50

更新时间： 2024-09-22 22:07:39

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
6页	122K
描述
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT

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MG150J7KS50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X22
针数：	22	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	最大降落时间（tf）：	500 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X22	JESD-609代码：	e0
元件数量：	7	端子数量：	22
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	320 W	最大功率耗散 (Abs)：	320 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	300 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.8 V	Base Number Matches：	1

MG150J7KS50

TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT

MG150J7KS50

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

The electrodes are isolated from case.

High input impedance

7 IGBTs built into 1 package.

Enhancement-mode

High speed type IGBT : Inverter stage

: V

= 2.8V (max) (@I = 150A)

CE (sat)

: t = 0.5µs (max) (@I = 150A)

: t = 0.3µs (max) (@I = 150A)

Outline

Weight: 520g

: TOSHIBA 2-110A1B

Equivalent Circuit

2001-08-16

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG150J7KS60	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT
MG150J7KS61	MITSUBISHI	获取价格	High Power Switching Applications Motor Control Applications
MG150M2CK1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80C1A, 9 PIN, BIP General
MG150M2CK2	TOSHIBA	获取价格	MG150M2CK2
MG150M2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG150M2YK2	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109B3A, 9 PIN, BIP Genera
MG150M2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG150N2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG150N2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG150N2YS1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109B4A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor