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MG150J1ZS50

更新时间： 2024-09-23 03:49:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
Silicon N Channel IGBT

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MG150J1ZS50 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：8 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：780 W
最大功率耗散 (Abs)：780 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：300 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：400 ns标称断开时间 (toff)：200 ns
最大开启时间（吨）：300 ns标称接通时间 (ton)：150 ns
VCEsat-Max：2.7 VBase Number Matches：1

MG150J1ZS50 数据手册

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MG150J1ZS50  
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT  
MG150J1ZS50  
High Power Switching Applications  
Unit: mm  
Motor Control Applications  
l The electrodes are isolated from case.  
l High input impedance  
l Includes a complete half bridge in one package.  
l Enhancement-mode  
l High speed : t = 0.30µs (max) (I = 150A)  
f
rr  
C
t
= 0.15µs (max) (I = 150A)  
F
l Low saturation voltage  
: V = 2.70V (max) (I = 150A)  
CE (sat)  
C
Equivalent Circuit  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
―
―
2-95A3A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
Reverse voltage  
V
V
600  
±20  
V
V
V
CES  
GES  
V
600  
R
DC  
Collector current  
1ms  
I
150  
C
A
A
I
I
300  
CP  
DC  
Forward current  
1ms  
I
150  
F
300  
FM  
Collector power dissipation (Tc = 25°C)  
Junction temperature  
P
780  
W
°C  
°C  
C
T
150  
j
Storage temperature range  
T
−40 ~ 125  
stg  
2500  
Isolation voltage  
V
V
Isol  
(AC 1 min.)  
Screw torque (Terminal / mounting)  
―
3 / 3  
N·m  
1
2001-08-16  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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