Datasheet > MG150J1BS11

MG150J1BS11

更新时间： 2024-09-22 22:33:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关电动机控制双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	222K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MG150J1BS11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.23
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	1000 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	450 W
最大功率耗散 (Abs)：	450 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	800 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1000 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG150J1JS50	TOSHIBA	获取价格	high power switching applications
MG150J1ZS50	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel IGBT
MG150J2YS1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-96A4A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
MG150J2YS11	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG150J2YS21	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG150J2YS40	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG150J2YS50	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG150J7KS50	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG150J7KS60	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT
MG150J7KS61	MITSUBISHI	获取价格	High Power Switching Applications Motor Control Applications