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MG1200V1US51

更新时间： 2024-09-21 22:06:11

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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描述
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT

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MG1200V1US51 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1200 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	1	端子数量：	7
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5550 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MG1200V1US51 数据手册

MG1200V1US51

TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT

MG1200V1US51

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

MOTOR CONTROL APPLICATIONS

FEATURES

l High Input Impedance

l Enhancement Mode

l Electrodes are isolated from case.

EQUIVALENT CIRCUIT

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

RATING

UNIT

Collector−Emitter Voltage

Gate−Emitter Voltage

1700

CES

GES

Collector Current

1ms

1200

2400

1200

2400

Forward Current

1ms

Collector Power Dissipation

(Tc = 25°C)

5560

Junction Temperature

−20~125

−40~125

°C

Storage Temperature Range

stg

5400

Isolation Voltage

Isol

(AC 1min)

Terminal: M4/M8

Mounting

2 / 7

Screw Torque

―

N·m

2001-06-26

12 3 4

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