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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG10H4GM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 500 V, 0.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-48A1B, 11 PIN, |
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| MG10P12E1 | YANGJIE |
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E1 |
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| MG10P12P2 | YANGJIE |
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P2 |
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| MG10P12P3 | YANGJIE |
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P3 |
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| MG10Q6ES50A | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG10Q6ES51A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG1101A | MICRO-ELECTRONICS |
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Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, 1-Character, Green, 26mm, CASE D-1101, 14 PIN |
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| MG1101C | MICRO-ELECTRONICS |
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Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, 1-Character, Green, 26mm, CASE D-1101, 14 PIN |
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| MG1-101-GBW | RCD |
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Fixed Resistor, 1W, 100ohm, 250V, 2% +/-Tol |
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| MG1-101-JBW | RCD |
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Fixed Resistor, 1W, 100ohm, 250V, 5% +/-Tol |
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