MG1059-11

更新时间： 2024-09-22 12:19:47

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美高森美 - MICROSEMI		专用微波二极管连续波
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描述
GUNN Diodes Anode Heat Sink

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MG1059-11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEMW-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	CONTINUOUS WAVE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	GUNN DIODE
JESD-30 代码：	O-CEMW-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	典型工作电流：	300 mA
最大工作频率：	35.5 GHz	最小工作频率：	33.5 GHz
标称工作电压：	5 V	最小输出功率：	0.005 W
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Special Purpose Diodes	表面贴装：	YES
技术：	GUNN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

MG1059-11 数据手册

GUNN Diodes

Anode Heat Sink

MG1041 – MG1059

Features

●

High Reliability

●

Low-Phase Noise

●

9.5–35.5 GHz Operation

●

Pulsed and CW Designs to 20 mW

Applications

●

Motion Detectors

●

Transmitters and Receivers

●

Beacons

●

Automotive Collision Avoidance Radars

Description

●

Radars

Microsemi’s GaAs Gunn diodes, epi-up (anode

heatsink), are fabricated from epitaxial layers grown

at MSC by the Vapor Phase Epitaxy technique. The

layers are processed using proprietary techniques

resulting in ultra- low phase and 1/f noise. The diodes

are available in a variety of microwave ceramic

●

Radiometers

●

Instrumentation

packages for operation from

9.5–35.5 GHz.

Microsemi

Rev: 2009-01-19

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

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