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MFT6N48T252

更新时间： 2024-09-25 18:09:43

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描述
MFT6N48T252 \| MOSFET 60V 48A TO-252 N-Ch

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MFT6N48T252 数据手册

N-Channel MOSFET

60V 48A 107W TO-252

MFT6N48T252

FEATURE

• R_DS(ON)<24mΩ, V_GS=10V, I_D=24A

• R_DS(ON)<29mΩ, V_GS=5V, I_D=12A

• High Power and Current Handing Capability

• Super High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

MECHANICAL DATA

• Case: TO-252 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

I_D

±16

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

T_C=25°C

I_DM

192

107

T_C=25°C

Power Dissipation

P_D

0.7

W/°C

Derate above 25°C

Single Pulse Avalanche Energy

E_AS

I_AS

167.5

Single Pulse Avalanche Current

Thermal Resistance Junction to Case

Operating Junction and Storage Temperature

R_θJC

1.4

°C/W

°C

T_J,T_STG

-55 to 175

DIMENSIONS

Item

Min. (mm)

2.20

Max. (mm)

2.40

0.13

0.90

1.14

5.59

0.61

0.89

6.63

7.10

2.59

10.60

0.50

0.76

4.95

0.40

0.45

5.40

6.05

1.98

8.80

0.25

0.70

0.50

1.78

1.20

Note: 1: Gate, 2, 4: Drain, 3: Source

Rev. 2b 09/15/22

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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