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MFT65N46T263

更新时间: 2024-11-13 18:09:23
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MERITEK /
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4页 615K
描述
MFT65N46T263 | MOSFET 650V 46.7A TO-263 N-Ch

MFT65N46T263 数据手册

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N-Channel MOSFET  
650V 46.7A 305W TO-263  
MFT65N46T263  
FEATURE  
RDS(ON)<56mΩ, VGS=10V, ID=46.7A  
High Power and Current Handing Capability  
Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON)  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-263 Package  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
650  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
±20  
V
46.7  
29.5  
187  
A
TC=25°C  
Drain Current Continuous  
ID  
A
TC=100°C  
Drain Current Pulsed  
TC=25°C  
IDM  
PD  
A
305  
W
TC=25°C  
Power Dissipation  
2.44  
469  
W/°C  
mJ  
A
Derate above 25°C  
Single Pulsed Avalanche Energy  
EAS  
IAS  
Single Pulsed Avalanche Current  
5
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Operating Junction and Storage Temperature  
RθJA  
62.5  
0.41  
-55 to 150  
°C/W  
°C/W  
°C  
RθJC  
TJ, TSTG  
DIMENSIONS  
Item  
Min (mm)  
4.29  
Max (mm)  
4.70  
A
b
0.69  
0.94  
b2  
c
1.22  
1.40  
0.36  
0.56  
c2  
D
1.22  
1.40  
8.64  
9.65  
E
9.70  
10.54  
2.79  
e
2.29  
L
2.24  
2.84  
L1  
L2  
H
1.40  
0.96  
1.78  
14.61  
15.88  
Rev. 2b 09/01/22  
Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com  

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