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MFT65N45T263

更新时间： 2025-07-23 18:28:15

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MOSFET – SMD

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MFT65N45T263 数据手册

N-Channel MOSFET

650V 45A 357W TO-263

MFT65N45T263

FEATURE



R_DS(ON)<70mΩ, V_GS=10V, I_D=20A

High Power and Current Handing Capability

Super High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

ECHANICAL DATA

 Case: TO-263 Package

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

AXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

650

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±30

T_C=25°C

I_D

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

Power Dissipation

T_C=100°C

T_C=25°C

I_DM

P_D

180

357

T_C=25°C

2.8

W/°C

Derate above 25°C

Single Pulsed Avalanche Energy

Single Pulsed Avalanche Current

E_AS

I_AS

300

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating Junction and Storage Temperature

R_θJA

62.5

0.35

-55 to 150

°C/W

°C

R_θJC

T_J,T_STG

IMENSIONS

Item

Min (mm)

4.29

Max (mm)

4.70

0.69

0.94

1.22

1.40

0.36

0.56

1.22

1.40

8.64

9.65

9.70

10.54

2.79

2.29

2.24

2.84

1.40

0.96

1.78

14.61

15.88

Rev. 2c 07/01/24

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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