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MFT65N12T263

更新时间： 2024-09-25 18:09:51

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MFT65N12T263 \| MOSFET 650V 12A TO-263 N-Ch

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MFT65N12T263 数据手册

N-Channel MOSFET

650V 12A TO-263

MFT65N12T263

FEATURE

•

R_DS(ON)=0.73Ω at V_GS=10V, I_D=12A

High Power and Current Handing Capability

Super High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

MECHANICAL DATA

• Case: TO-263 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

650

±30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C=25°C

Drain Current – Continuous

T_C=100°C

I_D

Drain Current – Pulsed

I_DM

P_D

250

T_C=25°C

Power Dissipation

Derate above 25°C

Single Pulsed Avalanche Energy

1.67

607

W/°C

E_AS

I_AS

Single Pulsed Avalanche Current

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

R_θJA

62.5

0.6

°C/W

°C

R_θJC

Operating Junction and Storage Temperature

T_J,T_STG

-55 to 175

DIMENSIONS

Item

Min. (mm)

4.29

Max. (mm)

4.70

0.25

0.69

1.22

0.36

1.22

8.64

9.70

2.29

14.61

2.24

0.94

1.40

0.56

1.40

9.65

10.54

2.79

15.88

2.84

1.40

0.96

1.78

Note: 1: Gate, 2, 4: Drain, 3: Source

Rev. 8c 07/18/18

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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