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MFT62N4A8S8

更新时间： 2024-11-13 18:09:43

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MFT62N4A8S8 \| MOSFET 60V 4.8A 2.5W SOP-8 Dual N-Ch

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MFT62N4A8S8 数据手册

Dual N-Channel MOSFET

60V 4.8A 2.5W SOP-8

MFT62N4A8S8

FEATURE

• R_DS(ON), V_GSat 10V, I_Dat 4.8A<50mΩ

• R_DS(ON), V_GSat 4.5V, I_Dat 2.4A<60mΩ

• High Switching Speed

• Improved dv/dt Capacitance

MECHANICAL DATA

• Case: SOP-8 package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

4.8

T_C=25°C

I_D

Drain Current – Continuous

T_A=70°C

3.8

Drain Current – Pulsed

I_DM

19.2

Single Pulse Avalanche Energy

E_AS

2.5

T_C=25°C

Power Dissipation

P_D

1.6

T_A=70°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

R_θJA

°C/W

°C

Operating Junction And Storage Temperature

T_J.T_STG

-55 to 150

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

0.10

Max (mm)

0.25

1.35

1.75

1.45

2.00

0.31

0.51

0.17

0.25

4.69

5.00

1.27 BSC

2.54

5.80

3.70

0.40

1.00

6.75

0.50

3.81

1.27

2.54

6.20

4.06

0.95

1.00

6.75

0.50

3.81

1.27

Rev. 1b 07/15/22

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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