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MFT60NA90S223

更新时间： 2025-07-23 18:28:15

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Silicon Carbide

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MFT60NA90S223 数据手册

N-Channel MOSFET

600V 0.9A 15W SOT-223

MFT60NA90S223

EATURE

 R_DS(ON)<9.5Ω, V_GS=10V, I_D=0.2A

 High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

 High Power and Current Handling Capability

ECHANICAL DATA

 Case: SOT-223 Package

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

AXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

600

±30

0.9

0.57

0.4

0.25

1.6

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=100°C

Drain Current

I_D

Drain Current

I_DM

I_AS

Drain Current – Pulsed

Single – Pulsed Avalanche Current

Single – Pulsed Avalanche Energy

E_AS

3.1

1.2

8.2

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=100°C

Maximum Power Dissipation

P_D

Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Store Temperature Range

R_θJA

R_θJC

T_J,T_STG

°C/W

°C

-55 to 150

IMENSIONS

Item

Min (mm)

Max (mm)

1.80

1.50

0.02

0.60

2.90

0.23

6.30

3.30

6.70

0.10

0.80

3.10

0.35

6.70

3.70

7.30

4.60

2.30

0.75

0.84

0.94

1.50

3.80

2.00

8.30

2.30

6.30

Rev. 3c 07/01/24

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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