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MFT60N15T263

更新时间： 2024-11-21 18:09:23

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MFT60N15T263 \| MOSFET 600V 15A 160W TO-263 N-Ch

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MFT60N15T263 数据手册

N-Channel MOSFET

600V 15A 160W TO-263

MFT60N15T263

FEATURE

•

R_DS(ON)<0.28Ω, V_GS=10V, I_D=15A

High Power and Current Handing Capability

Super High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

RoHS compliant.

MECHANICAL DATA

• Case: TO-263 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

600

±30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

I_D

T_C=25°C

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

160

1.28

400

T_C=25°C

Power Dissipation

P_D

W/°C

Derate above 25°C

Single Pulsed Avalanche Energy

Single Pulsed Avalanche Current

E_AS

I_AS

Thermal Resistance Junction to Ambient

Thermal Resistance Junction to Case

R_θJA

R_θJC

62.5

0.78

°C/W

°C

Operating Junction and Storage Temperature

T_J,T_STG

-55 to 150

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

4.29

1.22

0.69

1.22

0.36

8.64

9.70

2.29

4.83

14.61

4.70

1.19

2.24

Max (mm)

4.70

1.40

0.94

1.40

0.56

9.65

10.54

2.79

5.33

15.88

5.84

1.78

2.82

1.40

Note: 1: Gate, 2, 4: Drain, 3: Source

Rev. 2b 10/15/22

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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