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MFT50N4A1T252

更新时间： 2024-12-01 18:09:39

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MFT50N4A1T252 \| MOSFET 500V 4.1A 62.5W TO-252 N-Ch

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MFT50N4A1T252 数据手册

N-Channel MOSFET

500V 4.1A 62.5W TO-252

MFT50N4A1T252

FEATURE

•

R_DS(ON)<1.8Ω, V_GS=10V, I_D=2.5A

High Power and Current Handing Capability

Super High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

RoHS compliant.

MECHANICAL DATA

• Case: TO-252 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

500

±30

Gate-Source Voltage

V_GS

I_D

4.1

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

16.4

62.5

0.5

T_C=25°C

Power Dissipation

P_D

W/°C

°C/W

°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Thermal Resistance Junction to Case

R_θJA

R_θJC

Operating Junction and Storage Temperature

T_J,T_STG

-55 to 150

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

2.20

Max (mm)

2.40

0.89

0.90

5.59

0.61

6.63

7.10

2.59

10.6

0.45

0.50

4.95

0.40

5.40

6.05

1.98

8.80

0.25

0.50

0.70

1.20

1.78

Note: 1: Gate, 2, 4: Drain, 3: Source

Rev. 2b 12/01/22

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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