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MFT3N5A2S23

更新时间： 2024-11-19 18:09:31

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MFT3N5A2S23 \| 30V 5.2A 1.25W MOSFET SOT-23 N-Ch

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MFT3N5A2S23 数据手册

N-Channel MOSFET

30V 5.2A 1.25W SOT-23

MFT3N5A2S23

FEATURE

• R_DS(ON)<29mΩ, V_GS=10V, I_D=5.2A

• R_DS(ON)<45mΩ, V_GS=4.5V, I_D=5.2A

• High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

• Lead Free Product is Acquired

• Rugged and Reliable

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-23 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

5.2

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

20.8

1.25

Power Dissipation

P_D

Operating Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

T_J,T_stg

R_ɵJA

-55 to 150

100

°C

°C/W

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

0.00

Max (mm)

0.10

0.90

1.10

0.35

0.50

0.08

0.20

2.80

3.04

0.90

1.00

1.80

2.00

2.20

2.60

1.20

1.40

0.15

0.80

0.95

1.10

0.90

2.90

Rev. 1b 07/15/22

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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