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MFT3N4A8S23

更新时间： 2024-11-19 18:09:31

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MFT3N4A8S23 \| N-Channel MOSFET 30V 4.8A 1.25W SOT-23

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MFT3N4A8S23 数据手册

N-Channel MOSFET

30V 4.8A 1.25W SOT-23

MFT3N4A8S23

FEATURE

• R_DS(ON)<34mΩ, V_GS=10V, I_D=4.8A

• R_DS(ON<40mΩ, V_GS=4.5V, I_D=4A

• R_DS(ON)<45mΩ, V_GS=2.5V, I_D=2A

• R_DS(ON)<60mΩ, V_GS=1.8V, I_D=1A

• Rugged and Reliable

• High Dense Cell Design for Extremely Low R_DS(ON)

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-23 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±12

I_D

4.8

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

I_AS

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy

E_AS

28.8

1.25

-55 to 150

°C

P_D

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

T_J, T_stg

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R_θJA

100

°C / W

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

0.00

Max (mm)

0.10

0.90

1.10

0.35

0.50

0.08

0.20

2.80

3.04

0.90

1.00

1.80

2.00

2.20

2.60

1.20

1.40

0.15

0.80

0.95

1.10

0.90

2.90

Rev. 3b 05/15/23

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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