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MFT32N4A0S236

更新时间： 2024-11-19 18:09:35

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描述
MFT32N4A0S236 \| Dual N-Channel MOSFET 30V 4A 1.25W SOT-23-6

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MFT32N4A0S236 数据手册

Dual N-Channel MOSFET

30V 4A 1.25W SOT-23-6

MFT32N4A0S236

FEATURE

• R_DS(ON)<48mΩ, V_GS=10V, I_D=4.0A

• R_DS(ON)<70mΩ, V_GS=4.5V, I_D=2.8A

• Advanced Trench Process Technology

• Application: Switch Load, PWM Systems, etc.

• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-23-6 Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_D

I_DM

T_A= 25°C

Power Dissipation

1.25

P_D

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

R_θJA

100

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to +150

DIMENSIONS

SOT-23-6

Min (mm)

0.00

0.90

Max (mm)

0.15

1.30

1.45

0.30

0.08

2.80

2.60

1.50

0.50

0.22

3.00

1.70

0.95

1.90

0.30

0.60

0.95

1.30

0.95

3.20

Rev. 4b 02/01/24

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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