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MFT2NP4A1S236

更新时间： 2024-11-18 18:09:31

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描述
MFT2NP4A1S236 \| MOSFET ±20V 4.1/-3.1A 0.35W SOT-23-6L N/P Ch

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MFT2NP4A1S236 数据手册

N/P Channel MOSFET

±20V 4.1/-3.1A 0.35W SOT-23-6L

MFT2NP4A1S236

FEATURE

• R_DS(ON)<150mΩ, V_GS=4.5V, I_D=1A

• R_DS(ON)<215mΩ, V_GS=2.5V, I_D=0.7A

• R_DS(ON)<400mΩ, V_GS=1.8V, I_D=0.3A

• Advanced Trench Process Technology

• Application: Switch Load, PWM Application, etc.

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-23-6L Package

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±12

4.1

-20

±12

Gate-Source Voltage

-3.1

-12.4

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

16.4

T_A= 25°C

Power Dissipation

1.25

P_D

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

R_θJA

100

Operating Junction and Storage Temperature

T_J, T_STG

-55~150

DIMENSIONS

Item

Min (mm)

Max (mm)

0.10

1.00

0.30

0.08

2.70

2.60

1.50

1.20

1.30

0.50

0.20

3.10

3.00

1.70

0.95

1.70

0.20

2.10

0.60

0.80

0.95

1.10

0.90

2.90

Rev. 3b 03/01/23

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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