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MFT2N11D226E

更新时间： 2025-07-23 18:28:15

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MOSFET – SMD

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MFT2N11D226E 数据手册

N-Channel MOSFET

20V 11A 2W DFN2X2-6 ESD

MFT2N11D226E

FEATURE

 R_DS(ON)<11mΩ, V_GS=4.5V, I_D=9.5A

 R_DS(ON)<13mΩ, V_GS=2.5V, I_D=9A

 R_DS(ON)<17mΩ, V_GS=1.8V, I_D=8A

 Advanced Trench Process Technology

 Application: Relay driver, Speed line drive, etc.

 ESD Protected gate.

ECHANICAL DATA

 Case: DFN2X2-6 Package

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

AXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±10

V_GS

I_D

Drain Current – Continuous

Drain Current – Pulsed

I_DM

T_A=25℃

Derate above 25℃

P_D

Power Dissipation

mW/°C

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Resistance from Junction to Ambient

T_J, T_stg

R_θJA

-55 to 150

62.5

°C / W

IMENSIONS

Unit: mm

Max

Item

Min

0.700

0.000

0.800

0.050

0.203 BSC

0.250

1.900

0.850

0.250

1.900

0.950

0.550

0.200

0.350

2.100

0.950

0.350

2.10

1.050

0.650

0.300

0.650

0.330

0.400

Rev. 3c 07/01/24

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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