是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL32,.5 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.56 |
最长访问时间: | 150 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.825 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL32,.5 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 3.05 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10.415 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MF28F010-20 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 128KX8, 200ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F010-25 | INTEL |
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Flash, 128KX8, 250ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F010-90 | ROCHESTER |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F010-90 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 128KX8, 90ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-12 | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-12 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 120ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-15 | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-15 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 150ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-20 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 200ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
MF28F020-20 | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 200ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |