生命周期: | Transferred | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.18 |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | PAGE WRITE |
JESD-30 代码: | R-CQCC-J32 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | J BEND | 端子位置: | QUAD |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MEM832JMB-120 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32 | |
MEM832JMB-150 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32 | |
MEM832V-150 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VI-120 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VI-150 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VI-90 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDXA28 | |
MEM832VL-120 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VLI-120 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VLI-150 | MOSAIC |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 | |
MEM832VLI-90 | MOSAIC |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28 |