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MEM832JLMB-120

更新时间： 2023-01-02 19:37:36

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MOSAIC		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	176K
描述
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32

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MEM832JLMB-120 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.45X.7	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.18
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	PAGE WRITE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.45X.7
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.133 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MEM832JLMB-150	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32
MEM832JLMB-90	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32
MEM832JM-120	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32
MEM832JMB-120	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32
MEM832JMB-150	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32
MEM832V-150	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28
MEM832VI-120	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28
MEM832VI-150	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28
MEM832VI-90	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDXA28
MEM832VL-120	MOSAIC	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-28