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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 其他特性： | PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ME851B137S123F | MERITEK |
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ME851B137S123F | 137V Clamp 85V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F |
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| ME851U137S123F | MERITEK |
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ME851U137S123F | 137V Clamp 85V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F |
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| ME8N06E | NIEC |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| ME8N06E-F | NIEC |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| ME8P06 | NIEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| ME8V51BS123F | MERITEK |
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ME8V51BS123F | 14.4V Clamp 8.5V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F |
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| ME8V51US123F | MERITEK |
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ME8V51US123F | 14.4V Clamp 8.5V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F |
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| ME901B146S123F | MERITEK |
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ME901B146S123F | 146V Clamp 90V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F |
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| ME901U146S123F | MERITEK |
获取价格 |
ME901U146S123F | 146V Clamp 90V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F |
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| ME907041 | ALTECH |
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ME252015 |
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