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MDS1524URH

更新时间： 2024-11-18 01:18:59
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美格纳 - MGCHIP /
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5页 667K
描述
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 19.3A, 8.1m(ohm)

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MDS1524URH 数据手册

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June.ꢀ2011.ꢀVersion1.2ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
                                                                                                                              
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.  
ꢀ
ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ MDS1524  
ꢀ SingleꢀNꢁchannelꢀTrenchꢀMOSFETꢀ30V,ꢀ19.3A,ꢀ8.1mꢂ  
GeneralꢀDescriptionꢀ  
Featuresꢀ  
ꢀ
ꢀ
TheꢀMDS1524ꢀusesꢀadvancedꢀMagnaChip’sꢀMOSFETꢀ  
Technology,ꢀwhichꢀprovidesꢀhighꢀperformanceꢀinꢀonꢁstateꢀ  
resistance,ꢀfastꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀ  
quality.ꢀ ꢀ MDS1524ꢀisꢀsuitableꢀforꢀDC/DCꢀconverterꢀandꢀ  
generalꢀpurposeꢀapplications.ꢀ  
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀ30Vꢀ  
IDꢀ=ꢀ19.3Aꢀ@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
RDS(ON)  
ꢀ
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
<ꢀ8.1mꢀꢀ@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
<ꢀ11.6mꢀꢀ@VGSꢀ=ꢀ4.5Vꢀ  
100%ꢀUILꢀTestedꢀ  
ꢀ
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
ꢀ
100%ꢀRgꢀTestedꢀ  
ꢀ
5(D)ꢀ  
6(D)ꢀ  
7(D)ꢀ  
8(D)ꢀ  
G
4(G)ꢀ  
3(S)ꢀ  
2(S)ꢀ  
1(S)ꢀ  
ꢀ
ꢀ
AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25oC)ꢀ ꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
Symbolꢀ  
VDSS  
VGSS  
Ratingꢀ  
Unitꢀ  
Vꢀ  
ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ  
ꢀ
30ꢀ  
±20ꢀ  
19.3ꢀ  
15.4ꢀ  
13.2(3)  
10.6(3)  
40ꢀ  
ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ  
ꢀ
Vꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ ꢀ  
ꢀ TC=70oCꢀ  
TA=25oCꢀ  
TA=70oCꢀ  
Aꢀ  
ꢀ ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ(1)  
ꢀ
IDꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ  
IDMꢀ  
Aꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
ꢀ TC=70oCꢀ  
TA=25oCꢀ  
TA=70oCꢀ  
5.3ꢀ  
3.4ꢀ  
ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ  
PDꢀ  
Wꢀ  
2.5(3)  
1.6(3)  
60ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergyꢀ(2)  
ꢀ
EAS  
ꢀ
mJꢀ  
ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ  
TJ,ꢀTstg  
ꢀ
ꢁ55~150ꢀ  
oC  
ꢀ
ꢀ
ThermalꢀCharacteristicsꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ(1)  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ  
Symbolꢀ  
RθJA  
RθJC  
Ratingꢀ  
50ꢀ  
Unitꢀ  
ꢀ
ꢀ
oC/Wꢀ  
ꢀ
23.2ꢀ  
ꢀ
ꢀ
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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