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MDE06D2K2UK

更新时间： 2023-12-06 20:02:14

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小信号金氧半電晶體

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MDE06D2K2UK 数据手册

MDE06D2K2UK

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Extremely low threshold voltage

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Classification Voltage Range(V)

< 125

Q1: 1. Source 2. Gate 6. Drain

Q2: 4. Source 5. Gate 3. Drain

SOT-563 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

± 20

I_D

350

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

1.2

Power Dissipation ²⁾

P_D

223

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

560

Unit

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, limited by T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

℃

1 / 6

Dated: 24/02/2023 Rev:02

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