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MDE06B6K0LK-AH

更新时间： 2024-09-25 14:55:23

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小信号金氧半電晶體

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MDE06B6K0LK-AH 数据手册

MDE06B6K0LK-AH

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-563 Plastic Package

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

250

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

350

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 17/08/2023 Rev:03

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