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MDE02C1K2UK-AH

更新时间： 2023-12-06 20:03:27

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小信号金氧半電晶體

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MDE02C1K2UK-AH 数据手册

MDE02C1K2UK-AH

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-563 Plastic Package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Value

Unit

Symbol

Parameter

V_DS

V_GS

I_D

-20

± 10

-350

-2

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 10

600

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

625

℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

200

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/06/2023 Rev:03

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