Datasheet > MDE02B900UK

MDE02B900UK

更新时间： 2023-12-06 20:02:02

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	537K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MDE02B900UK 数据手册

MDE02B900UK

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-563 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

-V_DSS

V_GSS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current ¹⁾

± 10

530

Pulsed Drain Current ²⁾

Power Dissipation ³⁾

-I_DM

P_D

400

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

245

312

Thermal Resistance Junction to Ambient ³⁾

℃/W

¹⁾The maximum current limited by package.

²⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_jmax

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

1 / 6

Dated: 18/08/2023 Rev:03

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MDE02B900UK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDE02C1K2UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE02C1K2UK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE02D360UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE02T1	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 8-Element, NPN and PNP, Silicon
MDE02T2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 8-Element, NPN and PNP, Silicon
MDE03N150UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE06B6K0LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE06B6K0LK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE06C7K0LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MDE06C7K0LK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體