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MDD950-18N1W

更新时间： 2024-11-06 22:58:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
10页 634K
描述
DIODE MODULE 1.8KV 950A

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MDD950-18N1W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X3元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1129 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1800 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MDD950-18N1W 数据手册

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Date: 25.05.2005  
IXYS  
Data Sheet Issue: 3  
Dual Diode Water Cooled Modules MD# 950  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MDD  
MDA  
MDK  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
2200  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
MAXIMUM  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
LIMITS  
1200-2200  
1300-2300  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
V
V
VRRM  
VRSM  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(RMS)  
IF(d.c.)  
ITSM  
Maximum average forward current. Twater = 17°C, 4l/min 2), 3)  
Maximum average forward current. Twater = 45°C, 4l/min 2), 3)  
Maximum average forward current. Twater = 85°C, 4l/min 2), 3)  
Nominal RMS forward current. Twater = 17°C, 4l/min 2), 3)  
D.C. forward current. Twater = 17°C, 4l/min 3)  
1129  
950  
A
A
668  
A
1773  
A
1427  
A
4)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
21.8  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
V
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM £ 10 V 4)  
ITSM2  
I2t  
24.0  
4)  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
2.38×106  
2.88×106  
3500  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM £ 10 V 4)  
Isolation Voltage 5)  
Visol  
Tj op  
Operating temperature range  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
-40 to +125  
+150  
°C  
°C  
°C  
Tj max  
Tstg  
-40 to +125  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for TVj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Current ratings do not include adjustments, which may be necessary due to heat being returned by cable connections.  
4) Half-sinewave, 150°C TVj initial.  
5) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test.  
Data Sheet. MD#950-12N1W to 22N1W Issue 3  
Page 1 of 9  
May, 2005  
1234567...10

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与MDD950-18N1W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD950-20N1W LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 2000V V(RRM), Silicon,
MDD950-22N1W IXYS

获取价格

 		DIODE MODULE 2.2KV 950A
MDD95-04N1B IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 400V V(RRM), Silicon,
MDD95-06N1B IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD95-08N1B IXYS

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 		Diode Modules
MDD95-08N1B LITTELFUSE

获取价格

 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-12N1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 120A, 1200V V(RRM),
MDD95-12N1B IXYS

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 		Diode Modules
MDD95-12N1B LITTELFUSE

获取价格

 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-14N1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 120A, 1400V V(RRM),

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