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MDD950-12N1W

更新时间： 2024-09-16 19:46:27
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 330K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1200V V(RRM), Silicon,

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MDD950-12N1W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X3
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1129 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MDD950-12N1W 数据手册

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Date: 23.05.2005  
IXYS  
Data Sheet Issue: 2  
Dual Diode Water Cooled Modules MD# 950  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MDA  
MDK  
MDD  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
2200  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
950-12N1W  
950-14N1W  
950-16N1W  
950-18N1W  
950-20N1W  
950-22N1W  
MAXIMUM  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
LIMITS  
1200-2200  
1300-2300  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
V
V
VRRM  
VRSM  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(RMS)  
IF(d.c.)  
ITSM  
Maximum average forward current. Twater = 17°C, 4l/min 2), 3)  
Maximum average forward current. Twater = 45°C, 4l/min 2), 3)  
Maximum average forward current. Twater = 85°C, 4l/min 2), 3)  
Nominal RMS forward current. Twater = 17°C, 4l/min 2), 3)  
D.C. forward current. Twater = 17°C, 4l/min 3)  
1129  
A
A
950  
668  
A
1773  
A
1427  
A
4)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
21.8  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
V
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 4)  
ITSM2  
24.0  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
2.38×106  
2.88×106  
3500  
4)  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 4)  
Isolation Voltage 5)  
Visol  
Tvj op  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +150  
-40 to +125  
°C  
°C  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for TVj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Current ratings do not include adjustments, which may be necessary due to heat being returned by cable connections.  
4) Half-sinewave, 150°C TVj initial.  
5) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test.  
Data Sheet. MD#950-12N1W to 22N1W Issue 2  
Page 1 of 9  
May, 2005  
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与MDD950-12N1W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD950-14N1W LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1400V V(RRM), Silicon,
MDD950-18N1W IXYS

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 		DIODE MODULE 1.8KV 950A
MDD950-20N1W LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 2000V V(RRM), Silicon,
MDD950-22N1W IXYS

获取价格

 		DIODE MODULE 2.2KV 950A
MDD95-04N1B IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 400V V(RRM), Silicon,
MDD95-06N1B IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 600V V(RRM), Silicon,
MDD95-08N1B IXYS

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 		Diode Modules
MDD95-08N1B LITTELFUSE

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 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-12N1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 120A, 1200V V(RRM),
MDD95-12N1B IXYS

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 		Diode Modules

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