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MDD95

更新时间： 2024-09-15 21:54:23
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IXYS 二极管
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3页 126K
描述
Diode Modules

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MDD95 数据手册

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MDD 95  
IFRMS = 2x 180 A  
Diode Modules  
IFAVM = 2x 120 A  
VRRM = 800-2200 V  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
3
1
2
3
TO-240 AA  
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
2100  
2300  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
2200  
MDD 95-08N1 B  
MDD 95-12N1 B  
MDD 95-14N1 B  
MDD 95-16N1 B  
MDD 95-18N1 B  
MDD 95-20N1 B  
MDD 95-22N1 B  
2
Features  
●
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
International standard package  
JEDEC TO-240 AA  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
IFRMS  
IFAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 105°C; 180° sine  
180  
120  
A
A
●
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2800  
3300  
A
A
●
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2500  
2750  
A
A
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
39 200  
45 000  
A2s  
A2s  
Applications  
Supplies for DC power equipment  
DC supply for PWM inverter  
Field supply for DC motors  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
31 200  
31 300  
A2s  
A2s  
●
●
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
●
Battery DC power supplies  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
Advantages  
●
IISOL £ 1 mA  
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
●
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
●
cycling  
Reduced protection circuits  
Weight  
Typical including screws  
90  
g
●
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
15 mA  
VF  
IF = 300 A; TVJ = 25°C  
1.43  
0.75  
1.95 mW  
V
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
QS  
IRM  
TVJ = 125°C; IF = 50 A, -di/dt = 6 A/ms  
170  
45  
mC  
A
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode; DC current  
per module  
0.26 K/W  
0.13 K/W  
0.46 K/W  
0.23 K/W  
other values  
see Fig. 6/7  
RthJK  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Maximum allowable acceleration  
12.7 mm  
9.6 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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与MDD95相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD950-12N1W LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1200V V(RRM), Silicon,
MDD950-14N1W LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1400V V(RRM), Silicon,
MDD950-18N1W IXYS

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MDD95-08N1B IXYS

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 		Diode Modules
MDD95-08N1B LITTELFUSE

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 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-12N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 120A, 1200V V(RRM),

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