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| 力特 - LITTELFUSE |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 490K |  |
| 描述 | ||
| 双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-XUFM-X3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.41 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.6 V | JEDEC-95代码： | TO-240AA |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1150 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 59 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDD44-18N1B | IXYS |
获取价格 |
DIODE MODULES |
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| MDD44-18N1B | LITTELFUSE |
获取价格 |
双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。 |
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| MDD4N20Y | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm) |
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| MDD4N20YRH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm) |
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| MDD4N25 | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 250V, 3.0A, 1.75(ohm) |
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| MDD4N25RH | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 250V, 3.0A, 1.75(ohm) |
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| MDD4N60 | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm |
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| MDD4N60RH | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm |
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| MDD500-12N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| MDD500-14N1 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1400V V(RRM), Silicon, |
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