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力特 - LITTELFUSE | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 557K | |
描述 | ||
双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDD2N60 | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5ohm | |
MDD2N60RH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5ohm | |
MDD310 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD310-06N1 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 305A, 600V V(RRM), Silicon, | |
MDD310-08N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD310-08V | ETC |
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Diode/Diode Module | |
MDD310-12N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules | |
MDD310-12N1 | LITTELFUSE |
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双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 | |
MDD310-12V | ETC |
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Diode/Diode Module | |
MDD310-14N1 | IXYS |
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High Power Diode Modules |