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MDD26-08N1B

更新时间： 2024-11-19 22:46:19

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IXYS		二极管局域网
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Diode Modules

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MDD26-08N1B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-240AA
包装说明：	R-XUFM-X3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.38 V
JEDEC-95代码：	TO-240AA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	650 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	36 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MDD26-08N1B 数据手册

MDD 26

I_FRMS= 2x 60 A

Diode Modules

I_FAVM= 2x 36 A

V_RRM= 800-1800 V

TO-240 AA

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MDD 26-08N1 B

MDD 26-12N1 B

MDD 26-14N1 B

MDD 26-16N1 B

MDD 26-18N1 B

Features

●

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

International standard package

JEDEC TO-240 AA

Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

Planar passivated chips

Isolation voltage 3600 V~

UL registered, E 72873

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

650

760

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

580

630

òi²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2100

2400

A²s

Applications

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1700

1900

A²s

●

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

●

Battery DC power supplies

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

Advantages

●

I_ISOL£ 1 mA

Space and weight savings

Simple mounting

Improved temperature and power

●

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

2.5-4/22-35 Nm/lb.in.

●

cycling

Reduced protection circuits

Weight

Typical including screws

●

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

10 mA

V_F

I_F= 80 A; T_VJ= 25°C

1.38

0.8

6.1 mW

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 25 A, -di/dt = 0.6 A/ms

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

1.0 K/W

0.5 K/W

1.2 K/W

0.6 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Maximum allowable acceleration

12.7 mm

9.6 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD26-12N1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 36A, 1200V V(RRM),
MDD26-12N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD26-12N1B	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD26-14N1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 36A, 1400V V(RRM),
MDD26-14N1	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 36A, 1400V V(RRM),
MDD26-14N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD26-14N1B	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
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