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MD918B

更新时间: 2024-09-30 02:57:03
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
MULTIPLE SILICON ANNULAR TRANSISTORS

MD918B 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.7 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-MBCY-W6
元件数量:2端子数量:6
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):600 MHz
Base Number Matches:1

MD918B 数据手册

 浏览型号MD918B的Datasheet PDF文件第2页 

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