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MD51C68-70

更新时间: 2024-09-16 20:30:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 245K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 70ns, CMOS, CDIP20

MD51C68-70 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T20JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP20,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MD51C68-70 数据手册

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