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MCTL80N20Y PDF预览

MCTL80N20Y

更新时间： 2024-11-18 17:01:23
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
6页 679K
描述
Tape&Reel:2Kpcs/Reel;

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MCTL80N20Y 数据手册

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MCTL80N20Y  
Features  
•
•
•
•
•
Split Gate Trench MOSFET Technology  
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen Free. “Green” Device (Note 1)  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
N-CHANNEL  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS  
Compliant. See Ordering Information)  
MOSFET  
Maximum Ratings  
TOLL-8L  
•
•
Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C  
Storage Temperature Range: -55°C to +150°C  
H
A
C
9
Q
θ
•
•
Thermal Resistance: 34°C/W Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance: 0.5°C/W Junction to Case  
G
F
K
Parameter  
Rating  
200  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Volltage  
O
θ
1
2
3
4
5
6
7
8
R
VGS  
±20  
V
J
E
B
I
D
80  
TC=25°C  
S
P
ID  
Continuous Drain Current  
A
θ
θ
M
N
TC=100°C  
50  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
Total Power Dissipation(Note 4)  
IDM  
PD  
320  
250  
1024  
A
L
W
Single Pulsed Avalanche Energy(Note 5)  
EAS  
mJ  
DIMENSIONS  
INCHES MM  
MIN MAX  
1RWHꢀ  
ꢁꢂ +DORJHQꢃIUHHꢃꢄ*UHHQ´ꢃSURGXFWVꢃDUHꢃGHILQHGꢃDVꢃWKRVHꢃZKLFKꢃFRQWDLQꢃꢅꢆꢇꢇSSPꢃEURPLQHꢈ  
ꢅꢆꢇꢇSSPꢃFKORULQHꢃꢉꢅꢁꢊꢇꢇSSPꢃWRWDOꢃ%Uꢃꢋꢃ&OꢌꢃDQGꢃꢅꢁꢇꢇꢇSSPꢃDQWLPRQ\ꢃFRPSRXQGVꢂ  
ꢍꢂ 7KHꢃYDOXHꢃRIꢃ5ș-$ꢃLVꢃPHDVXUHGꢃZLWKꢃWKHꢃGHYLFHꢃPRXQWHGꢃRQꢃꢁLQꢍꢃ)5ꢎꢏꢃERDUGꢃZLWKꢃꢍR]ꢂ  
&RSSHUꢈꢃLQꢃDꢃVWLOOꢃDLUꢃHQYLURQPHQWꢃZLWKꢃ7$ꢃ ꢍꢊƒ&ꢂꢃ  
DIM  
NOTE  
MIN  
MAX  
2.40  
0.90  
9.90  
0.50  
0.60  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
0.087 0.094 2.20  
0.028 0.035 0.70  
0.382 0.390 9.70  
0.017 0.020 0.42  
0.016 0.024 0.40  
ꢐꢂ 5HSHWLWLYHꢃUDWLQJꢑꢃSXOVHꢃZLGWKꢃOLPLWHGꢃE\ꢃPD[ꢂꢃMXQFWLRQꢃWHPSHUDWXUHꢂ  
ꢏꢂ 3'ꢃLVꢃEDVHGꢃRQꢃPD[ꢂꢃMXQFWLRQꢃWHPSHUDWXUHꢈꢃXVLQJꢃMXQFWLRQꢎFDVHꢃWKHUPDOꢃUHVLVWDQFHꢂ  
ꢊꢂ 7- ꢍꢊǔꢈꢃ9'' 809ꢈꢃ9*6 109ꢈꢃ/ 2P+.  
0.405 0.417 10.28 10.58  
0.122 0.138 3.10 3.50  
0.382 0.398 9.70 10.10  
0.311 0.327 7.90 8.30  
0.047 1.20  
0.452 0.468 11.48 11.88  
J
BSC  
K
L
Internal Structure and Marking Code  
0.266 0.281 6.75  
7.15  
9
0.315  
8.00  
M
N
O
P
Q
R
S
θ
D
0.118 0.130 3.00  
0.157 0.172 3.98  
0.055 0.071 1.40  
0.024 0.031 0.60  
0.020 0.028 0.50  
0.039 0.051 1.00  
3.30  
4.38  
1.80  
0.80  
0.70  
1.30  
10°  
MCC  
1. GATE  
MCTL80N20Y  
2,3,4,5,6,7,8. SOURCE  
9. DRAIN  
G
S
4°  
10°  
4°  
8
2
PIN 1  
Rev.4-1-10162023  
1/6  
MCCSEMI.COM  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCTV35P60F1D INTERSIL

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 		35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode
MCTV65P100F1 INTERSIL

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 		65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
MCTV75P60E1 INTERSIL

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MCU011N10YL MCC

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