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MCTA75P60E1

更新时间： 2024-11-10 22:40:23
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5页 53K
描述
75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)

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MCTA75P60E1 数据手册

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MCTV75P60E1,  
MCTA75P60E1  
Semiconductor  
75A, 600V  
P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)  
April 1999  
Features  
Package  
JEDEC STYLE TO-247 5-LEAD  
• 75A, -600V  
ANODE  
ANODE  
• VTM = -1.3V(Maximum) at I = 75A and +150oC  
• 2000A Surge Current Capability  
• 2000A/µs di/dt Capability  
CATHODE  
GATE RETURN  
GATE  
• MOS Insulated Gate Control  
• 120A Gate Turn-Off Capability at +150oC  
Description  
JEDEC MO-093AA (5-LEAD TO-218)  
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching  
currents on and off by negative and positive pulsed control of an  
insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls,  
inverters, line switches and other power switching applications.  
ANODE  
ANODE  
CATHODE  
GATE RETURN  
GATE  
The MCT is especially suited for resonant (zero voltage or  
zero current switching) applications. The SCR like forward  
drop greatly reduces conduction power loss.  
MCTs allow the control of high power circuits with very small  
amounts of input energy. They feature the high peak current  
capability common to SCR type thyristors, and operate at  
junction temperatures up to +150oC with active switching.  
Symbol  
A
K
G
PART NUMBER INFORMATION  
PART NUMBER  
MCTV75P60E1  
MCTA75P60E1  
PACKAGE  
TO-247  
MO-093AA  
BRAND  
MV75P60E1  
MA75P60E1  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
MCTV75P60E1  
MCTA75P60E1  
UNITS  
Peak Off-State Voltage (See Figure 11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDRM  
Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VRRM  
Continuous Cathode Current (See Figure 2)  
-600  
+5  
V
V
o
TC = +25 C (Package Limited) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IK25  
85  
75  
A
A
o
TC = +90 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IK90  
Non-Repetitive Peak Cathode Current (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IKSM  
Peak Controllable Current (See Figure 10) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IKC  
Gate-Anode Voltage (Continuous) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGA  
Gate-Anode Voltage (Peak) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGAM  
Rate of Change of Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . dv/dt  
Rate of Change of Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . di/dt  
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PT  
Linear Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG  
2000  
120  
A
A
V
V
±20  
±25  
See Figure 11  
2000  
A/µs  
208  
W
o
1.67  
W/ C  
o
-55 to +150  
260  
C
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL  
(0.063" (1.6mm) from case for 10s)  
C
NOTE:  
o
o
1. Maximum Pulse Width of 250µs (Half Sine) Assume T (Initial) = +90 C and T (Final) = T (Max) = +150 C  
J
J
J
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.  
File Number 3374.6  
Copyright © Harris Corporation 1999  
2-18  
12345

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MCTA75P60E1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MCTV65P100F1 INTERSIL

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