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MCT62S

更新时间： 2024-10-01 22:46:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 512K
描述
DUAL PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS

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DUAL PHOTOTRANSISTOR  
OPTOCOUPLERS  
MCT6  
MCT61  
MCT62  
DESCRIPTION  
The MCT6X Optocouplers have two channels for density applications. For four  
channel applications, two-packages fit into a standard 16-pin DIP socket. Each  
channel is an NPN silicon planar phototransistor optically coupled to a gallium  
arsenide infrared emitting diode.  
8
1
FEATURES  
•
•
•
•
Two isolated channels per package  
Two packages fit into a 16 lead DIP socket  
Choice of three current transfer ratios  
8
8
1
1
Underwriters Laboratory (U.L.) recognized File E90700  
SCHEMATIC  
APPLICATIONS  
ANODE  
EMITTER  
1
8
•
•
•
•
•
•
AC Line/Digital Logic - isolate high voltage transients  
Digital Logic/Digital Logic - Eliminate spurious grounds  
Digital Logic/AC Triac Control - isolate high voltage transients  
Twisted pair line receiver - Eliminate ground loop feedthrough  
Telephone/Telegraph line receiver - isolate high voltage transients  
High Frequency Power Supply Feedback Control - Maintain floating grounds and  
transients  
CATHODE  
CATHODE  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
2
3
4
7
6
5
ANODE  
EMITTER  
•
•
Relay contact monitor - isolate floating grounds and transients  
Power supply monitor - Isolate transients  
Equivalent Circuit  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
EMITTER (Each channel)  
Symbol  
Value  
Unit  
Forward Current - Continuous  
Forward Current - Peak (PW = 1µs, 300pps)  
Reverse Voltage  
I
60  
3
mA  
A
F
I (pk)  
F
V
3.0  
V
R
LED Power Dissipation @ T = 25°C  
100  
1.3  
mW  
mW/°C  
A
P
D
Derate above 25°C (Total Input)  
DETECTOR (Each channel)  
Collector Current - Continuous  
I
30  
mA  
C
Detector Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
150  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
P
D
TOTAL DEVICE  
Storage Temperature  
T
-55 to +150  
-55 to +100  
°C  
°C  
°C  
STG  
Operating Temperature  
Lead Solder Temperature (wave solder)  
T
OPR  
T
250 for 10 sec  
SOL  
Total Device Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
400  
5.33  
mW  
mW/°C  
A
P
D
© 2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Page 1 of 8  
10/20/04  
12345678

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