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力特 - LITTELFUSE | 电机 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 666K | |
描述 | ||
该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用,例如电机控制、过程控制以及温度、光线和速度控制。 功能与特色: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 1.56 |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 15 mA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 8 A |
断态重复峰值电压: | 600 V | 重复峰值反向电压: | 600 V |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
S6008DTP | LITTELFUSE |
完全替代 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCR8DCN | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers | |
MCR8DCN | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCN1 | ONSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),8A I(T),TO-251 | |
MCR8DCNT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用,例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 | |
MCR8DSM | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DSM | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers | |
MCR8DSM-1 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MINIATURE, | |
MCR8DSMT4 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |