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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 15 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1 V | 最大维持电流： | 30 mA |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 0.01 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 80 A | 最大通态电压： | 1.8 V |
| 最大通态电流： | 8000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCR8DCMT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR8DCMT4G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR8DCMT4G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用，例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 |
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| MCR8DCN | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers |
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| MCR8DCN | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR8DCN1 | ONSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),8A I(T),TO-251 |
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| MCR8DCNT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR8DCNT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR8DCNT4G | LITTELFUSE |
获取价格 |
该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用，例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 |
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| MCR8DSM | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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